本文摘要：日前，北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域获得突破性成果，首次利用SiC外延生长方法，在3英寸SiC衬底上做成石墨烯二维材料，为构建晶圆级石墨烯商业化规模生产奠下了最重要基础！ 石墨烯是一种二维平面六边形蜂窝网状结构的单层碳原子薄膜，因其超高载流子迁移率、超高热导率、出色的等比增大和受限的衍射等出色特性，在高频电子器件、光电子器件及量子器件等诸多领域具备极大的应用于前景。 世纪金光公司使用SiC外延法制成晶圆级石墨烯。

日前，北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域获得突破性成果，首次利用SiC外延生长方法，在3英寸SiC衬底上做成石墨烯二维材料，为构建晶圆级石墨烯商业化规模生产奠下了最重要基础！　　石墨烯是一种二维平面六边形蜂窝网状结构的单层碳原子薄膜，因其超高载流子迁移率、超高热导率、出色的等比增大和受限的衍射等出色特性，在高频电子器件、光电子器件及量子器件等诸多领域具备极大的应用于前景。　　世纪金光公司使用SiC外延法制成晶圆级石墨烯。SiC外延法是目前最具备发展优势和发展创造力的制取石墨烯的可信方法。

SiC外延制取的石墨烯能和主流CMOS工艺互为相容，需要展开衬底移往，可必要应用于电子器件研究。做成石墨烯材料的纳曼光谱中可明晰看见石墨烯的特征峰2D峰和G峰,缺失峰D峰不显著，解释晶体质量较好。　　晶圆级石墨烯材料制取的突破，将符合新一代微纳电子器件的发展市场需求，增进我国新兴石墨烯产业化的较慢发展，造就我国微纳电子、电力电子、新能源、新材料等涉及产业链较慢发展。

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